东芝发布首款16核堆栈的NAND闪存：容量256GB，功耗降低50%
wenzhang东芝、闪迪今年底就要正式推出48层堆栈的BiCS 3D闪存，MLC核心容量可达128Gb，现在东芝又宣布了世界首款16核堆栈的NAND闪存，这两者别搞混了，前者的3D堆栈指的是闪存核心（dihe）内部的堆栈，现在的堆栈使用的是跟AMD的HBM显存一样的TSV工艺，是16个闪存核心的堆栈，目前的原型产品中封装容量最高256GB，I/O接口速度1Gbps，要比其他闪存更快，而耗电则低了50%。
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东芝的16核堆栈NAND闪存
东芝发布的这款闪存是世界首款达到16核堆栈的NAND芯片，次一些的是8核堆栈，它们都使用了TSV（硅穿孔）技术，每个闪存核心容量是128Gb，因此NAND总容量分别是128GB、256GB，目前SSD中使用的单颗NAND闪存容量普遍在64GB，三星最近发布的2TB容量的850??Evo硬盘才达到了每颗NAND容量256GB的地步。
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除了容量更高，东芝的堆栈式NAND闪存芯片的I/O接口速度也达到了1Gbps，性能超过了其他类型的闪存。功耗方面，其闪存核心电压为1.8V，I/O接口电压只有1.2V，东芝表示该闪存的功耗比目前的产品低了50%。
此外，东芝的堆栈式NAND封装面积也非常小，长宽分别是18、14毫米，8核堆栈的厚度是1.35毫米，16核堆栈的厚度则是1.9毫米。
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东芝的8核、16核堆栈的NAND闪存规格
东芝目前发布的8/16核堆栈的NAND闪存还是原型，他们也没有说明到底何时能够量产，不过TSV工艺到目前为止还谈不上大规模应用，预计量产时间也不会很快，至少也也得明年了吧。 学习了，学习了。。。。。
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